隨著美光前不久把臺灣南亞科技納入囊中，DRAM內存產業基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大廠商的主力制程工藝才剛進入20nm，但是20nm工藝看樣子也只是過渡了，因為三星、SK Hynix明年就要量產1x nm工藝的DRAM顆粒，三星最早是明年Q1季度，美光雖然進度最慢，但也表態爭取在明年量產1x nm工藝。

　　來自韓國ETNEWS的報道稱，三星、SK Hynix及美光這三家廠商都在致力于明年量產1x nm工藝的DRAM芯片，其中三星的進度最快，他們去年3月份才量產了20nm工藝，但現在正在修改工藝，已經完成了1x nm工藝的的量產驗證工作，明年Q1季度就要量產新工藝DRAM內存。

　　SK Hynix的進度比三星略慢，2016年他們計劃提升20nm工藝DRAM芯片的產能，但2016年上半年也會完成1x nm工藝的DRAM開發工作，2016年下半年爭取量產。

　　在這三家中美光這兩年的表現就比較差了，工藝進度也比韓國兩家公司落后1-2代，不過美光CEO Mark Durcan也表態稱2016年他們的目標除了提升20nm產能之外，也爭取開始量產1x nm工藝的RAM芯片。

　　原文說的這個1x nm等同于18nm工藝，但實際上并沒有這么簡單，并不是從數字20到18這么簡單，如果制程只是改變了2個nm，廠商肯定不會這么大動干戈。在存儲芯片從20+nm進入10+nm工藝之后，廠商對工藝的描述已經不再使用具體的數字了，20nm之后是1x nm工藝，再往后則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至于XYZ具體的含義，由于每家公司的工藝并不一樣，所以缺少詳細的解釋。